型号 | SI3456DDV-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH D-S 30V 6-TSOP |
SI3456DDV-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI3456DDV-T1-GE3 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 40 毫欧 @ 5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 9nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 325pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装 | 6-TSOP |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | SI3456DDV-T1-GE3DKR |